TSK50N50M
IC
TO-247
可供量大可议
TSK50N50M
特性：该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术， 此技术可最小化导通电阻， 提供出色的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 50A， 500V， 最大RDS(on)=0.11Ω @VGS=10V。 低栅极电荷。 高耐用性。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准
品牌
Truesemi
封装
TO-247
库存
19
货期
现货
TSK50N50M参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
TSK50N50M概述
特性：该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术， 此技术可最小化导通电阻， 提供出色的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 50A， 500V， 最大RDS(on)=0.11Ω @VGS=10V。 低栅极电荷。 高耐用性。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准
TSK50N50M特性
暂无产品特性。
TSK50N50M应用领域
暂无应用领域。