TSK50N30M
IC
TO-247
可供量大可议
TSK50N30M
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术制造。 50A， 300V， 最大 RDS(on)=0.06Ω @VGS=10V。 漏源击穿电压：BVDSS=300V（最小值）。 低栅极电荷：Qg = 122nC（典型值）。 100% 雪崩测试。 RoHS 合规器件
品牌
Truesemi
封装
TO-247
库存
79
货期
现货
TSK50N30M参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 79 |
TSK50N30M概述
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术制造。 50A， 300V， 最大 RDS(on)=0.06Ω @VGS=10V。 漏源击穿电压：BVDSS=300V（最小值）。 低栅极电荷：Qg = 122nC（典型值）。 100% 雪崩测试。 RoHS 合规器件
TSK50N30M特性
暂无产品特性。
TSK50N30M应用领域
暂无应用领域。