TSK100N20M
IC
TO-247
可供量大可议
TSK100N20M
这款功率MOSFET采用了东微半导（Truesemi）先进的平面条纹DMOS技术制造。 这项先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
品牌
Truesemi
封装
TO-247
库存
30
货期
现货
TSK100N20M参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
TSK100N20M概述
这款功率MOSFET采用了东微半导（Truesemi）先进的平面条纹DMOS技术制造。 这项先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
TSK100N20M特性
暂无产品特性。
TSK100N20M应用领域
暂无应用领域。