TSF20N50MR
IC
TO-220F-3
可供量大可议
TSF20N50MR
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 20A， 500V， 最大导通电阻 RDS(on) = 0.30Ω（VGS = 10V 时）。 低栅极电荷（典型值 45nC）。 高耐用性。 快速开关。 100% 雪崩测试， 改善 dv/dt 能力。 应用：高效开关电源。 基于半桥拓扑的有源功率因数校正
品牌
Truesemi
封装
TO-220F-3
库存
58
货期
现货
TSF20N50MR参数
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 58 |
TSF20N50MR概述
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 20A， 500V， 最大导通电阻 RDS(on) = 0.30Ω（VGS = 10V 时）。 低栅极电荷（典型值 45nC）。 高耐用性。 快速开关。 100% 雪崩测试， 改善 dv/dt 能力。 应用：高效开关电源。 基于半桥拓扑的有源功率因数校正
TSF20N50MR特性
暂无产品特性。
TSF20N50MR应用领域
暂无应用领域。