TSF18N50MD
IC
TO-220F
可供量大可议
TSF18N50MD
特性：采用先进的平面条纹DMOS技术。 最大电流18.0A， 电压500V， RDS(on)=0.37Ω（VGS = 10V时）。 低栅极电荷（典型值45nC）。 高耐用性。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力
品牌
Truesemi
封装
TO-220F
库存
24
货期
现货
TSF18N50MD参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
TSF18N50MD概述
特性：采用先进的平面条纹DMOS技术。 最大电流18.0A， 电压500V， RDS(on)=0.37Ω（VGS = 10V时）。 低栅极电荷（典型值45nC）。 高耐用性。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力
TSF18N50MD特性
暂无产品特性。
TSF18N50MD应用领域
暂无应用领域。