TSF10N80M

该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。 该先进技术专门用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。