TSA65N25M
IC
TO-3P
可供量大可议
TSA65N25M
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 低导通电阻。 卓越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 65A， 250V， 最大导通电阻 RDS(on)=0.050Ω（VGS=10V 时）。 低栅极电荷：Qg = 115nC（典型值）。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准
品牌
Truesemi
封装
TO-3P
库存
20
货期
现货
TSA65N25M参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
TSA65N25M概述
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 低导通电阻。 卓越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 65A， 250V， 最大导通电阻 RDS(on)=0.050Ω（VGS=10V 时）。 低栅极电荷：Qg = 115nC（典型值）。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准
TSA65N25M特性
暂无产品特性。
TSA65N25M应用领域
暂无应用领域。