TSA50N20M

该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术。 这种先进技术经过特别设计， 可最大限度地降低导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 该器件适用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。