TSA40N25M
IC
TO-3P-3
可供量大可议
TSA40N25M
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 低导通电阻。 卓越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 40A， 250V， 最大 RDS(on)=85mΩ @VGS=10V。 低栅极电荷：Qg = 62nC（典型值）。 应用：高效开关模式电源。 基于半桥拓扑的有源功率因数校正
品牌
Truesemi
封装
TO-3P-3
库存
46
货期
现货
TSA40N25M参数
| 封装 | TO-3P-3 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
TSA40N25M概述
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 低导通电阻。 卓越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 40A， 250V， 最大 RDS(on)=85mΩ @VGS=10V。 低栅极电荷：Qg = 62nC（典型值）。 应用：高效开关模式电源。 基于半桥拓扑的有源功率因数校正
TSA40N25M特性
暂无产品特性。
TSA40N25M应用领域
暂无应用领域。