TSA20N60MR
IC
TO-3P-3
可供量大可议
TSA20N60MR
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。 这项先进技术专门设计用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件适用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
品牌
Truesemi
封装
TO-3P-3
库存
20
货期
现货
TSA20N60MR参数
| 封装 | TO-3P-3 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
TSA20N60MR概述
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。 这项先进技术专门设计用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件适用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
TSA20N60MR特性
暂无产品特性。
TSA20N60MR应用领域
暂无应用领域。