TSA18N50MD
IC
TO-3P
可供量大可议
TSA18N50MD
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 最大限度地降低导通电阻。 提供卓越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 18.0A, 500V 最大。 RDS(on) = 0.37Ω @ VGS = 10V。 低栅极电荷（典型值 42nC）。 高耐用性。 快速开关。 100% 雪崩测试。 改善的 dv/dt 能力
品牌
Truesemi
封装
TO-3P
库存
30
货期
现货
TSA18N50MD参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
TSA18N50MD概述
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 最大限度地降低导通电阻。 提供卓越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 18.0A, 500V 最大。 RDS(on) = 0.37Ω @ VGS = 10V。 低栅极电荷（典型值 42nC）。 高耐用性。 快速开关。 100% 雪崩测试。 改善的 dv/dt 能力
TSA18N50MD特性
暂无产品特性。
TSA18N50MD应用领域
暂无应用领域。