TSA12N90M
IC
TO-3P
可供量大可议
TSA12N90M
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术， 该技术可降低导通电阻， 提供出色的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 12A， 900V， 最大导通电阻 RDS(on)=1.1Ω（VGS=10V 时）。 低栅极电荷：Qg = 83nC（典型值）。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准
品牌
Truesemi
封装
TO-3P
库存
214
货期
现货
TSA12N90M参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 214 |
TSA12N90M概述
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术， 该技术可降低导通电阻， 提供出色的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 12A， 900V， 最大导通电阻 RDS(on)=1.1Ω（VGS=10V 时）。 低栅极电荷：Qg = 83nC（典型值）。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准
TSA12N90M特性
暂无产品特性。
TSA12N90M应用领域
暂无应用领域。