TS5MP646NYFPR-HXY
IC
DSBGA-36
可供量大可议
TS5MP646NYFPR-HXY
该模拟开关/多路复用器采用单刀双掷(SPDT)拓扑结构, 提供10个独立信号通道, 适用于复杂信号路径管理与切换应用。 器件支持1.65V至5.5V宽电压范围工作, 具备良好的电源适应性。 其导通电阻典型值为4.3Ω, 可有效降低信号传输损耗, 提升系统整体信号完整性。 适用于通信设备、消费类电子产品及高性能测试仪器中的信号路由控制, 实现高效、可靠的模拟或数字信号选择与分配。
品牌
HXY MOSFET
封装
DSBGA-36
库存
195
货期
现货
TS5MP646NYFPR-HXY参数
| 封装 | DSBGA-36 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 模拟开关/多路复用器 |
|---|---|
| 库存 | 195 |
TS5MP646NYFPR-HXY概述
该模拟开关/多路复用器采用单刀双掷(SPDT)拓扑结构, 提供10个独立信号通道, 适用于复杂信号路径管理与切换应用。 器件支持1.65V至5.5V宽电压范围工作, 具备良好的电源适应性。 其导通电阻典型值为4.3Ω, 可有效降低信号传输损耗, 提升系统整体信号完整性。 适用于通信设备、消费类电子产品及高性能测试仪器中的信号路由控制, 实现高效、可靠的模拟或数字信号选择与分配。
TS5MP646NYFPR-HXY特性
暂无产品特性。
TS5MP646NYFPR-HXY应用领域
暂无应用领域。
