TS372IDT
IC
SO-8
可供量大可议
TS372IDT
比较器 开漏 10mV 1.5V~8V； 3V~16V 1pA
品牌
ST
封装
SO-8
库存
632
货期
现货
TS372IDT参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 24+ |
| 比较器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 1pA |
| 输出模式 | CMOS； TTL |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 单电源 | 3V~16V |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 632 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV |
| 传播延迟(tpd) | 200ns |
| 静态电流(Iq) | 150uA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 16V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1.5V~8V； -8V~-1.5V |
| 响应时间(tr) | 200ns |
TS372IDT概述
比较器 开漏 10mV 1.5V~8V； 3V~16V 1pA
TS372IDT特性
暂无产品特性。
TS372IDT应用领域
暂无应用领域。