TS334IYDT
自营可供
IC
SO-14
TS334IYDT
比较器 79dB 5mV 1.6V~5V 40nA SO-14
品牌
ST
封装
SO-14
交期
现货
批次
23+
TS334IYDT参数
| 封装 | SO-14 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 23+ |
| 比较器数 | 四路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 40nA |
| 共模抑制比(CMRR) | 79dB |
| 轨到轨 | 轨到轨输入 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 4.5uV/℃ |
| 商品名称 | 微功耗低压轨到轨比较器 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 比较器 |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 2,248 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 5mV |
| 传播延迟(tpd) | 210ns |
| 输出类型 | 开漏 |
| 静态电流(Iq) | 20uA |
| 单电源 | 1.6V~5V |
| 输入失调电流(Ios) | 1nA |
| 商品型号 | TS334IYDT |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00028 |
TS334IYDT概述
比较器 79dB 5mV 1.6V~5V 40nA SO-14
TS334IYDT特性
- 电源工作电压范围：1.6 V至5 V
- 低电流消耗：20 μA
- 轨到轨输入
- 宽温度范围：-40 °C至 +125 °C
- 低输出饱和电压
- 低传播延迟：210 ns
- 开漏输出
- ESD耐受能力：2 kV HBM/200 V MM
- SMD封装
- 符合汽车级标准
TS334IYDT应用领域
- 手机
- 笔记本电脑和个人数字助理（PDA）
- 电池供电的电子设备
- 通用便携式设备
- 通用低压应用