TS332IDT
自营可供
IC
SO-8
TS332IDT
比较器 79dB 5mV 1.6V~5V 40nA
品牌
ST
封装
SO-8
交期
现货
批次
23+
TS332IDT参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 23+ |
| 比较器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 40nA |
| 共模抑制比(CMRR) | 79dB |
| 轨到轨 | 轨到轨输入 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 4.5uV/℃ |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 5mV |
| 传播延迟(tpd) | 210ns |
| 输出类型 | 开漏 |
| 静态电流(Iq) | 20uA |
| 单电源 | 1.6V~5V |
| 输入失调电流(Ios) | 1nA |
TS332IDT概述
比较器 79dB 5mV 1.6V~5V 40nA
TS332IDT特性
- 电源电压范围：TS332IDT 可以在1.6V到5V的宽广电压范围内工作， 适合多种供电设计， 特别是在电池供电的应用中展现出它的优势。
- 高输出电流能力：该比较器的典型输出电流为93mA@5V， 能够驱动低阻抗负载， 适合用作信号处理和开关控制应用。
- 低输入偏置电流：最大输入偏置电流仅为0.04µA， 这使得该器件在传感器信号处理和高阻抗输入应用中表现优越。
- 优异的共模抑制比（CMRR）：CMRR的典型值为79dB， 这保证了在共模信号波动的情况下， 比较器仍能精确工作。
- 快速的传播延迟：TS332IDT 的最大传播延迟为720ns， 使其适用于高速信号处理需求， 适合在需要快速响应的场合使用。
- 宽广的工作温度范围：该器件能够在-40°C到125°C的环境温度下稳定工作， 适合严酷环境下的工业、汽车和消费电子应用。
- 小型封装：TS332IDT 采用 8-SOIC（0.154"， 3.90mm 宽）封装， 支持表面贴装， 非常适合在空间受限的应用中使用。
TS332IDT应用领域
- TS332IDT 广泛用于各种电子应用， 如
- 电池监测
- 温度传感器
- 电压比较和监测
- 自动化控制器
- 基于模拟信号的界面电路
- 汽车电子（如电池管理系统）
- 工业设备监控
- 根据其低功耗和高性能特点， TS332IDT 是非常适合用于那些对功耗敏感且需要高精度信号处理的项目。