DFN1006-2L
TS1201NBX
TS1201NBX是一款超低电容ESD和浪涌保护器, 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 TS1201NBX旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级(±30kV空气放电、±30kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变 - EFT)(40A、5/50 ns)、IEC 61000 - 4 - 5(浪涌)(7A、8/20μs)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 TS1201NBX采用DFN1006 - 2L封装。 超低电容和高ESD鲁棒性的组合特性使TS121NB非常适合不适合使用阵列的应用场景。 TS1201NBX的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。
品牌
晶扬电子
封装
DFN1006-2L
库存
9,500
货期
现货
TS1201NBX参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | 晶扬电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9500 |
TS1201NBX概述
TS1201NBX是一款超低电容ESD和浪涌保护器, 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 TS1201NBX旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级(±30kV空气放电、±30kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变 - EFT)(40A、5/50 ns)、IEC 61000 - 4 - 5(浪涌)(7A、8/20μs)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 TS1201NBX采用DFN1006 - 2L封装。 超低电容和高ESD鲁棒性的组合特性使TS121NB非常适合不适合使用阵列的应用场景。 TS1201NBX的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。
TS1201NBX特性
暂无产品特性。
TS1201NBX应用领域
暂无应用领域。
