TS0501VBX
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
TS0501VBX
TS0501VB X是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列， 旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。 TS0501VBX典型电容仅为2.0pF， 旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）4级（±15kV空气放电、±8kV接触放电）、IEC 61000 - 4 - 4（电气快速瞬变 - EFT）（40A、5/50 ns）、IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）（11A、8/20μs）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。
品牌
晶扬电子
封装
DFN1006-2L
库存
11,730
货期
现货
TS0501VBX参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | 晶扬电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 11730 |
TS0501VBX概述
TS0501VB X是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列， 旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。 TS0501VBX典型电容仅为2.0pF， 旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）4级（±15kV空气放电、±8kV接触放电）、IEC 61000 - 4 - 4（电气快速瞬变 - EFT）（40A、5/50 ns）、IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）（11A、8/20μs）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。
TS0501VBX特性
暂无产品特性。
TS0501VBX应用领域
暂无应用领域。