DFN1006-2L
TS0321VBX
TS0321VB X是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列, 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 TS0321VBX典型电容仅为1.5 pF, 旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000 -4-2(ESD)4级(±15 kV空气放电、±8 kV接触放电)、IEC 61000-4-4(电气快速瞬变 - EFT)(40A、5/50 ns)、IEC 61000-4-5(浪涌)(25 A、8/20 μs)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 TS0321VB X采用DFN1006-2L封装。 每个TS0321VB器件可保护一对高速线路。 “直通式”设计可将走线电感降至最低, 并减少与ESD事件相关的电压过冲。 低电容和高ESD耐受性的综合特性使TS0321VBX非常适合用于手机和MP3播放器等便携式应用。 TS0321VBX的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。
品牌
晶扬电子
封装
DFN1006-2L
库存
9,600
货期
现货
TS0321VBX参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | 晶扬电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9600 |
TS0321VBX概述
TS0321VB X是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列, 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 TS0321VBX典型电容仅为1.5 pF, 旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000 -4-2(ESD)4级(±15 kV空气放电、±8 kV接触放电)、IEC 61000-4-4(电气快速瞬变 - EFT)(40A、5/50 ns)、IEC 61000-4-5(浪涌)(25 A、8/20 μs)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 TS0321VB X采用DFN1006-2L封装。 每个TS0321VB器件可保护一对高速线路。 “直通式”设计可将走线电感降至最低, 并减少与ESD事件相关的电压过冲。 低电容和高ESD耐受性的综合特性使TS0321VBX非常适合用于手机和MP3播放器等便携式应用。 TS0321VBX的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。
TS0321VBX特性
暂无产品特性。
TS0321VBX应用领域
暂无应用领域。
