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TS0321VBX
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

TS0321VBX

TS0321VB X是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列, 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 TS0321VBX典型电容仅为1.5 pF, 旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000 -4-2(ESD)4级(±15 kV空气放电、±8 kV接触放电)、IEC 61000-4-4(电气快速瞬变 - EFT)(40A、5/50 ns)、IEC 61000-4-5(浪涌)(25 A、8/20 μs)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 TS0321VB X采用DFN1006-2L封装。 每个TS0321VB器件可保护一对高速线路。 “直通式”设计可将走线电感降至最低, 并减少与ESD事件相关的电压过冲。 低电容和高ESD耐受性的综合特性使TS0321VBX非常适合用于手机和MP3播放器等便携式应用。 TS0321VBX的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。

品牌

晶扬电子

封装

DFN1006-2L

库存

9,600

货期

现货

TS0321VBX参数

封装DFN1006-2L
品牌晶扬电子
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存9600

TS0321VBX概述

TS0321VB X是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列, 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 TS0321VBX典型电容仅为1.5 pF, 旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000 -4-2(ESD)4级(±15 kV空气放电、±8 kV接触放电)、IEC 61000-4-4(电气快速瞬变 - EFT)(40A、5/50 ns)、IEC 61000-4-5(浪涌)(25 A、8/20 μs)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 TS0321VB X采用DFN1006-2L封装。 每个TS0321VB器件可保护一对高速线路。 “直通式”设计可将走线电感降至最低, 并减少与ESD事件相关的电压过冲。 低电容和高ESD耐受性的综合特性使TS0321VBX非常适合用于手机和MP3播放器等便携式应用。 TS0321VBX的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。

TS0321VBX特性

暂无产品特性。

TS0321VBX应用领域

暂无应用领域。

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