TRS10E65H, S1Q
IC
TO-220-2L
可供量大可议
TRS10E65H, S1Q
特性：第三代芯片设计。 低正向电压：Vₚ = 1.2 V (典型值)。 低总电容电荷：Qc = 27 nC (典型值)。 低反向电流：Iₑ = 2.0 μA (典型值)。 应用：功率因数校正。 太阳能逆变器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220-2L
库存
7
货期
现货
TRS10E65H, S1Q参数
| 封装 | TO-220-2L |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 7 |
TRS10E65H, S1Q概述
特性：第三代芯片设计。 低正向电压：Vₚ = 1.2 V (典型值)。 低总电容电荷：Qc = 27 nC (典型值)。 低反向电流：Iₑ = 2.0 μA (典型值)。 应用：功率因数校正。 太阳能逆变器
TRS10E65H, S1Q特性
暂无产品特性。
TRS10E65H, S1Q应用领域
暂无应用领域。