TPWR7904PB, L1XHQ
IC
DSOPADVANCE-8
可供量大可议
TPWR7904PB, L1XHQ
特性：AEC-Q101合格。 小型薄封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.65 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。 增强模式：VDM = 2.0 至 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
品牌
TOSHIBA
封装
DSOPADVANCE-8
库存
177
货期
现货
TPWR7904PB, L1XHQ参数
| 封装 | DSOPADVANCE-8 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 177 |
TPWR7904PB, L1XHQ概述
特性：AEC-Q101合格。 小型薄封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.65 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。 增强模式：VDM = 2.0 至 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
TPWR7904PB, L1XHQ特性
暂无产品特性。
TPWR7904PB, L1XHQ应用领域
暂无应用领域。