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TPW60R028DFD
IC

TO-247S

可供量大可议

TPW60R028DFD

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术, 根据SJ原理设计。 深沟槽SJ MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件, 具有最高的稳健性, 使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

品牌

无锡紫光微

封装

TO-247S

库存

2

货期

现货

TPW60R028DFD参数

封装TO-247S
品牌无锡紫光微
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

TPW60R028DFD概述

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术, 根据SJ原理设计。 深沟槽SJ MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件, 具有最高的稳健性, 使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

TPW60R028DFD特性

暂无产品特性。

TPW60R028DFD应用领域

暂无应用领域。

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