TPW2900ENH, L1Q
IC
DSOPADVANCE-8
可供量大可议
TPW2900ENH, L1Q
特性：高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 8.2 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 24 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_DSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 200 V)。 增强模式：V_DA = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。 应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
DSOPADVANCE-8
库存
18
货期
现货
TPW2900ENH, L1Q参数
| 封装 | DSOPADVANCE-8 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
TPW2900ENH, L1Q概述
特性：高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 8.2 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 24 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_DSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 200 V)。 增强模式：V_DA = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。 应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
TPW2900ENH, L1Q特性
暂无产品特性。
TPW2900ENH, L1Q应用领域
暂无应用领域。