TPV65R170M
IC
TO-3P-3
可供量大可议
TPV65R170M
超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术， 它是根据超结（SJ）原理设计的。 多外延超结MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件， 其高鲁棒性使谐振开关应用尤其更可靠、更高效、更轻便且更低温。
品牌
无锡紫光微
封装
TO-3P-3
库存
1
货期
现货
TPV65R170M参数
| 封装 | TO-3P-3 |
|---|---|
| 品牌 | 无锡紫光微 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
TPV65R170M概述
超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术， 它是根据超结（SJ）原理设计的。 多外延超结MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件， 其高鲁棒性使谐振开关应用尤其更可靠、更高效、更轻便且更低温。
TPV65R170M特性
暂无产品特性。
TPV65R170M应用领域
暂无应用领域。