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TPSTD86N3LH5
IC

TO-252

可供量大可议

TPSTD86N3LH5

特性:30V, 90A。 RDS(ON) 3.88mΩ@VGS = 10V (Typ)。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。 应用:负载开关。 PWM应用

品牌

TECH PUBLIC

封装

TO-252

库存

2,355

货期

现货

TPSTD86N3LH5参数

封装TO-252
品牌TECH PUBLIC(台舟)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2355

TPSTD86N3LH5概述

特性:30V, 90A。 RDS(ON) 3.88mΩ@VGS = 10V (Typ)。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。 应用:负载开关。 PWM应用

TPSTD86N3LH5特性

暂无产品特性。

TPSTD86N3LH5应用领域

暂无应用领域。

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