TPSI4202DY-T1-GE3
IC
SOP-8
可供量大可议
TPSI4202DY-T1-GE3
特性：RDS(ON)≤16 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤20 mΩ@VGS=4.5V。 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOP-8
库存
2,955
货期
现货
TPSI4202DY-T1-GE3参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2955 |
TPSI4202DY-T1-GE3概述
特性：RDS(ON)≤16 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤20 mΩ@VGS=4.5V。 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
TPSI4202DY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
TPSI4202DY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。