TPS76815QDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
TPS76815QDR
该设备设计为具有快速瞬态响应， 并且在使用10 μF电容器时保持稳定。 这种组合以合理的成本提供了高性能。 由于PMOS器件表现为低阻值电阻， 因此压降非常低（对于TPS76850， 在输出电流为1 A时， 典型值为230 mV）， 并且与输出电流成正比。 此外， 由于PMOS传输元件是电压驱动器件， 因此静态电流非常低， 并且与输出负载无关（在整个输出电流范围0 mA至1 A内， 典型值为85 μA）
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
12
货期
现货
TPS76815QDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 线性稳压器(LDO) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
TPS76815QDR概述
该设备设计为具有快速瞬态响应， 并且在使用10 μF电容器时保持稳定。 这种组合以合理的成本提供了高性能。 由于PMOS器件表现为低阻值电阻， 因此压降非常低（对于TPS76850， 在输出电流为1 A时， 典型值为230 mV）， 并且与输出电流成正比。 此外， 由于PMOS传输元件是电压驱动器件， 因此静态电流非常低， 并且与输出负载无关（在整个输出电流范围0 mA至1 A内， 典型值为85 μA）
TPS76815QDR特性
暂无产品特性。
TPS76815QDR应用领域
暂无应用领域。