TPS73701DRBRM3

线性低压降(LDO)稳压器在电压跟随器配置中使用NMOS导通晶体管。 该拓扑对输出电容值和等效串联电阻(ESR)的敏感度相对较低， 从而实现多种负载配置。 即使使用1μF的小型陶瓷输出电容器， 也能实现出色的负载瞬态响应。 NMOS拓扑也可实现超低压降。 利用先进的BiCMOS工艺实现高精度， 同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。 采用全新制造流程的器件拥有最新设计， 新器件采用最新工艺技术。 未启用时， 电流消耗小于20nA， 适用于便携式应用。 该器件受到热关断和折返电流限制的保护。