TPS73512QDRBRQ1
IC
SON-8-EP(3x3)
可供量大可议
TPS73512QDRBRQ1
TPS735-Q1 低压降(LDO), 低功耗线性稳压器系列产品能够提供出色的交流性能, 同时还能保证极低的接地电流。 可提供高电源抑制比(PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应, 同时消耗极低的46μA(典型值)接地电流。 TPS735-Q1 系列器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定, 并且该器件使用先进的BiCMOS 制造工艺, 能够在输出500mA 输出电流时产生280mV 的典型压降。
品牌
TI
封装
SON-8-EP(3x3)
库存
2
货期
现货
TPS73512QDRBRQ1参数
| 封装 | SON-8-EP(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 线性稳压器(LDO) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
TPS73512QDRBRQ1概述
TPS735-Q1 低压降(LDO), 低功耗线性稳压器系列产品能够提供出色的交流性能, 同时还能保证极低的接地电流。 可提供高电源抑制比(PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应, 同时消耗极低的46μA(典型值)接地电流。 TPS735-Q1 系列器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定, 并且该器件使用先进的BiCMOS 制造工艺, 能够在输出500mA 输出电流时产生280mV 的典型压降。
TPS73512QDRBRQ1特性
暂无产品特性。
TPS73512QDRBRQ1应用领域
暂无应用领域。
