TPS51601ADRBR
自营可供
IC
VSON (DRB)| 8
TPS51601ADRBR
栅极驱动芯片 TPS51601ADRBR WSON-8-EP(3x3)
品牌
TI
封装
VSON (DRB)| 8
交期
现货
批次
22+
TPS51601ADRBR参数
| 封装 | VSON (DRB)| 8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 22+ |
| 驱动配置 | 高边； 低边 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 上升时间(tr) | 35ns |
| 传播延迟 tpLH | 25ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 输入高电平(VIH) | 4V |
| 静态电流(Iq) | 160uA |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 1,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 下降时间(tf) | 35ns |
| 传播延迟 tpHL | 25ns |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 输入低电平(VIL) | 700mV |
| 功能特性 | 交错导通保护； 死区时间控制 |
TPS51601ADRBR概述
栅极驱动芯片 TPS51601ADRBR WSON-8-EP(3x3)
TPS51601ADRBR特性
- TPS51601ADRBR的电气性能针对高速开关场景优化， 核心参数表现突出
- 开关速度快：上升时间（tr）35ns， 下降时间（tf）35ns， 传播延迟（tpLH/tpHL）均为25ns。 快速开关特性可减少MOSFET交叉导通时间， 降低开关损耗， 适配高频DC-DC转换或快速响应的电机驱动。
- 低静态功耗：静态电流（Iq）仅160μA， 待机/轻载状态下功耗极低， 适合电池供电的便携设备（如笔记本、平板）或功耗敏感的工业系统。
- 宽电压兼容：4.5V~5.5V工作范围覆盖常见5V电源， 无需额外电压转换， 简化设计流程。
- 采用 WSON-8-EP（3×3mm）封装， 具备三大优势
- 尺寸紧凑：3×3mm小封装适配高密度PCB布局， 节省电路板空间
- 散热增强：带散热增强引脚（EP）， 直接将热量传导至PCB铜箔， 提升散热效率
- 工艺兼容：与标准贴片工艺兼容， 便于自动化生产。
TPS51601ADRBR应用领域
- 基于性能与封装特点， 适用于以下场景
- 便携设备电源管理：笔记本、平板的DC-DC转换模块（如CPU/VCORE供电）， 小封装适配轻薄化需求
- 小型电机驱动：无人机电机、小型伺服电机、玩具电机， 快速开关提升响应速度
- 工业电源模块：通信基站、工业控制器的电源转换电路， 宽温范围满足工业环境
- LED驱动辅助：大功率LED的MOSFET开关控制（如背光驱动）， 低功耗适配电池供电照明。