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TPS22963CYZPR
IC

DSBGA-6

可供量大可议

TPS22963CYZPR

TPS22963/64 是一款具有受控接通功能的小型超低 R; 负载开关。 此器件包含一个低 R; N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET), 可在 1V 至 5.5 输入电压范围内运行并支持高达 3A 的开关电流。 采用集成电荷泵偏置 NMOS 开关, 从而获得一个低开关导通电阻。 此开关可由一个打开/关闭输入 (ON) 控制, 此输入可与低压 GPIO 控制信号直接对接。 TPS22963/64 器件的上升时间受到内部控制以避免浪涌电流。 TPS22963/64 提供反向电流保护。 当电源开关禁用时, 该器件将防止电流流向开关输入端。 反向电流保护功能只有在该器件禁用时才有效, 以便允许某些应用中特意的反向电流(开关使能时)。 TPS22963/64 采用超小型、节省空间的 6 引脚晶圆级芯片 (WCSP) 封装, 额定工作环境温度范围为 –40°C 至 85°C。

品牌

TI

封装

DSBGA-6

库存

291

货期

现货

TPS22963CYZPR参数

封装DSBGA-6
品牌TI(德州仪器)
批次22+
类型负载开关
输入控制逻辑高电平有效
最大连续电流3A
功能特性反向电流阻断; 软启动
分类功率电子开关
库存291
MOQ / SPQ1 / 1
通道数1
工作电压1V~5.5V
导通电阻13.3mΩ
工作温度-40℃~+85℃

TPS22963CYZPR概述

TPS22963/64 是一款具有受控接通功能的小型超低 R; 负载开关。 此器件包含一个低 R; N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET), 可在 1V 至 5.5 输入电压范围内运行并支持高达 3A 的开关电流。 采用集成电荷泵偏置 NMOS 开关, 从而获得一个低开关导通电阻。 此开关可由一个打开/关闭输入 (ON) 控制, 此输入可与低压 GPIO 控制信号直接对接。 TPS22963/64 器件的上升时间受到内部控制以避免浪涌电流。 TPS22963/64 提供反向电流保护。 当电源开关禁用时, 该器件将防止电流流向开关输入端。 反向电流保护功能只有在该器件禁用时才有效, 以便允许某些应用中特意的反向电流(开关使能时)。 TPS22963/64 采用超小型、节省空间的 6 引脚晶圆级芯片 (WCSP) 封装, 额定工作环境温度范围为 –40°C 至 85°C。

TPS22963CYZPR特性

暂无产品特性。

TPS22963CYZPR应用领域

暂无应用领域。

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