TPNTJD1155LT1G
IC
SOT-363
可供量大可议
TPNTJD1155LT1G
极低导通电阻 (RDS(on)) 的 P 沟道负载开关 MOSFET， 采用低外形、小尺寸封装， 输入电压范围为 1.8 至 8.0 V， 开关控制电压范围为 1.5 至 8.0 V， 电平转换 MOSFET 具备 ESD 保护功能。
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOT-363
库存
1,800
货期
现货
TPNTJD1155LT1G参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 功率电子开关 |
|---|---|
| 库存 | 1800 |
TPNTJD1155LT1G概述
极低导通电阻 (RDS(on)) 的 P 沟道负载开关 MOSFET， 采用低外形、小尺寸封装， 输入电压范围为 1.8 至 8.0 V， 开关控制电压范围为 1.5 至 8.0 V， 电平转换 MOSFET 具备 ESD 保护功能。
TPNTJD1155LT1G特性
暂无产品特性。
TPNTJD1155LT1G应用领域
暂无应用领域。