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TPNTD5C668NLT4G
IC

TO-252

可供量大可议

TPNTD5C668NLT4G

N沟道增强型MOSFET, 低栅极电荷以减少开关损耗

品牌

TECH PUBLIC

封装

TO-252

库存

500

货期

现货

TPNTD5C668NLT4G参数

封装TO-252
品牌TECH PUBLIC(台舟)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存500

TPNTD5C668NLT4G概述

N沟道增强型MOSFET, 低栅极电荷以减少开关损耗

TPNTD5C668NLT4G特性

暂无产品特性。

TPNTD5C668NLT4G应用领域

暂无应用领域。

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