TPN8R408QM, L1Q(M
IC
TSON-8
可供量大可议
TPN8R408QM, L1Q(M
特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 8.4 nC（典型值）。 小输出电荷：QSS = 29.9 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IKSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。 增强模式：Vth = 2.5 至 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。 应用：高效DC-DC转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TSON-8
库存
28
货期
现货
TPN8R408QM, L1Q(M参数
| 封装 | TSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 28 |
TPN8R408QM, L1Q(M概述
特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 8.4 nC（典型值）。 小输出电荷：QSS = 29.9 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IKSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。 增强模式：Vth = 2.5 至 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。 应用：高效DC-DC转换器。 开关稳压器
TPN8R408QM, L1Q(M特性
暂无产品特性。
TPN8R408QM, L1Q(M应用领域
暂无应用领域。