TPN6R303NC, LQ(S
IC
TSON-8(3.1x3.1)
可供量大可议
TPN6R303NC, LQ(S
特性：小而薄的封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）(VDS = 30V)。 增强模式：VDA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。 应用：锂离子二次电池电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
TSON-8(3.1x3.1)
库存
5,135
货期
现货
TPN6R303NC, LQ(S参数
| 封装 | TSON-8(3.1x3.1) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5135 |
TPN6R303NC, LQ(S概述
特性：小而薄的封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）(VDS = 30V)。 增强模式：VDA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。 应用：锂离子二次电池电源管理开关
TPN6R303NC, LQ(S特性
暂无产品特性。
TPN6R303NC, LQ(S应用领域
暂无应用领域。