TPN5900CNH, L1Q
IC
TSON-8(3.1x3.1)
可供量大可议
TPN5900CNH, L1Q
特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 2.6 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 50 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 150 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。 应用：高效DC-DC转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TSON-8(3.1x3.1)
库存
937
货期
现货
TPN5900CNH, L1Q参数
| 封装 | TSON-8(3.1x3.1) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 937 |
TPN5900CNH, L1Q概述
特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 2.6 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 50 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 150 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。 应用：高效DC-DC转换器。 开关稳压器
TPN5900CNH, L1Q特性
暂无产品特性。
TPN5900CNH, L1Q应用领域
暂无应用领域。