TPN2R703NL, L1Q(M
IC
TSON-8
可供量大可议
TPN2R703NL, L1Q(M
特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。 增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。 应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TSON-8
库存
15,669
货期
现货
TPN2R703NL, L1Q(M参数
| 封装 | TSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15669 |
TPN2R703NL, L1Q(M概述
特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。 增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。 应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
TPN2R703NL, L1Q(M特性
暂无产品特性。
TPN2R703NL, L1Q(M应用领域
暂无应用领域。