TPN2R203NC, L1Q(M
IC
TSON-8(3.1x3.1)
可供量大可议
TPN2R203NC, L1Q(M
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低漏电流：IDD = 10 μA（最大值）(VDS = 30V)。 增强模式：VHA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V， ID = 0.5mA)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
TSON-8(3.1x3.1)
库存
4,307
货期
现货
TPN2R203NC, L1Q(M参数
| 封装 | TSON-8(3.1x3.1) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4307 |
TPN2R203NC, L1Q(M概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低漏电流：IDD = 10 μA（最大值）(VDS = 30V)。 增强模式：VHA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V， ID = 0.5mA)。 应用：电源管理开关
TPN2R203NC, L1Q(M特性
暂无产品特性。
TPN2R203NC, L1Q(M应用领域
暂无应用领域。