TPN1R603PL, L1Q
IC
TSDSON-8(3.3x3.3)
可供量大可议
TPN1R603PL, L1Q
特性：高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 11 nC（典型值）。 小输出电荷：Q_SS = 23 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 1.2 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_RSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 30 V)。 增强模式：V_th = 1.1 至 2.1 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。 应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TSDSON-8(3.3x3.3)
库存
40
货期
现货
TPN1R603PL, L1Q参数
| 封装 | TSDSON-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
TPN1R603PL, L1Q概述
特性：高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 11 nC（典型值）。 小输出电荷：Q_SS = 23 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 1.2 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_RSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 30 V)。 增强模式：V_th = 1.1 至 2.1 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。 应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
TPN1R603PL, L1Q特性
暂无产品特性。
TPN1R603PL, L1Q应用领域
暂无应用领域。