TPMZB670UPE
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
TPMZB670UPE
P沟道增强型MOSFET， 适用于负载/电源开关、接口开关， 低导通电阻， 低逻辑电平栅极驱动， ESD保护栅极
品牌
TECH PUBLIC
封装
DFN1006-3L
库存
3,000
货期
现货
TPMZB670UPE参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
TPMZB670UPE概述
P沟道增强型MOSFET， 适用于负载/电源开关、接口开关， 低导通电阻， 低逻辑电平栅极驱动， ESD保护栅极
TPMZB670UPE特性
暂无产品特性。
TPMZB670UPE应用领域
暂无应用领域。