TPM60NP5S8
IC
SOP-8
可供量大可议
TPM60NP5S8
特性：N沟道：VDS = 60V， ID = 6.0A， RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V时）。 P沟道：VDS = -60V， ID = -5A， RDS(ON) < 95mΩ（VGS = -10V时）。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOP-8
库存
2,305
货期
现货
TPM60NP5S8参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2305 |
TPM60NP5S8概述
特性：N沟道：VDS = 60V， ID = 6.0A， RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V时）。 P沟道：VDS = -60V， ID = -5A， RDS(ON) < 95mΩ（VGS = -10V时）。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
TPM60NP5S8特性
暂无产品特性。
TPM60NP5S8应用领域
暂无应用领域。