TPM6080NHK3-1
IC
TO-252
可供量大可议
TPM6080NHK3-1
特性：低栅极电荷， 可降低开关损耗。 漏源导通电阻（VGS = 10V时）≤5.8mΩ（典型值）。 应用：适配器。 充电器
品牌
TECH PUBLIC
封装
TO-252
库存
490
货期
现货
TPM6080NHK3-1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 490 |
TPM6080NHK3-1概述
特性：低栅极电荷， 可降低开关损耗。 漏源导通电阻（VGS = 10V时）≤5.8mΩ（典型值）。 应用：适配器。 充电器
TPM6080NHK3-1特性
暂无产品特性。
TPM6080NHK3-1应用领域
暂无应用领域。