TPM60120NHK3G
IC
TO-252
可供量大可议
TPM60120NHK3G
N沟道MOSFET， 采用先进沟槽技术， 具备低导通电阻和低栅极电荷， 适用于负载开关、PWM应用和电源管理
品牌
TECH PUBLIC
封装
TO-252
库存
497
货期
现货
TPM60120NHK3G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 497 |
TPM60120NHK3G概述
N沟道MOSFET， 采用先进沟槽技术， 具备低导通电阻和低栅极电荷， 适用于负载开关、PWM应用和电源管理
TPM60120NHK3G特性
暂无产品特性。
TPM60120NHK3G应用领域
暂无应用领域。