TPM30NB10S8-3
IC
SOP-8
可供量大可议
TPM30NB10S8-3
特性：RDS(ON) ≤ 16 mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) ≤ 20 mΩ @ VGS = 4.5V。 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOP-8
库存
480
货期
现货
TPM30NB10S8-3参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 480 |
TPM30NB10S8-3概述
特性：RDS(ON) ≤ 16 mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) ≤ 20 mΩ @ VGS = 4.5V。 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
TPM30NB10S8-3特性
暂无产品特性。
TPM30NB10S8-3应用领域
暂无应用领域。