TPM3012V1SX
IC
SOT-23
可供量大可议
TPM3012V1SX
TPM3012V1S X 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 TPM3012V1S X 符合 RoHS 和绿色产品要求， 且其全部功能的可靠性已获认可。
品牌
晶扬电子
封装
SOT-23
库存
6,495
货期
现货
TPM3012V1SX参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | 晶扬电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6495 |
TPM3012V1SX概述
TPM3012V1S X 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 TPM3012V1S X 符合 RoHS 和绿色产品要求， 且其全部功能的可靠性已获认可。
TPM3012V1SX特性
暂无产品特性。
TPM3012V1SX应用领域
暂无应用领域。