TPM2008EP3-1
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
TPM2008EP3-1
特性：表面贴装封装。 N沟道开关， 低导通电阻RDS(on)。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。 与TPM2009EP3互补。 应用：负载/电源开关。 接口开关
品牌
TECH PUBLIC
封装
DFN1006-3L
库存
940
货期
现货
TPM2008EP3-1参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 940 |
TPM2008EP3-1概述
特性：表面贴装封装。 N沟道开关， 低导通电阻RDS(on)。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。 与TPM2009EP3互补。 应用：负载/电源开关。 接口开关
TPM2008EP3-1特性
暂无产品特性。
TPM2008EP3-1应用领域
暂无应用领域。