TPM04K20BX
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
TPM04K20BX
P沟道增强型MOSFET晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)， 且栅极电荷低。 该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
品牌
晶扬电子
封装
DFN1006-3L
库存
9,220
货期
现货
TPM04K20BX参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | 晶扬电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9220 |
TPM04K20BX概述
P沟道增强型MOSFET晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)， 且栅极电荷低。 该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
TPM04K20BX特性
暂无产品特性。
TPM04K20BX应用领域
暂无应用领域。