TPHR8504PL-JSM
IC
DFN5060-8L
可供量大可议
TPHR8504PL-JSM
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计， 实现低导通电阻RDS(ON)。 湿度敏感度等级1。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无卤
品牌
JSMSEMI
封装
DFN5060-8L
库存
6,978
货期
现货
TPHR8504PL-JSM参数
| 封装 | DFN5060-8L |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6978 |
TPHR8504PL-JSM概述
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计， 实现低导通电阻RDS(ON)。 湿度敏感度等级1。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无卤
TPHR8504PL-JSM特性
暂无产品特性。
TPHR8504PL-JSM应用领域
暂无应用领域。