TPH4R606NH, L1Q(M
IC
SOP-8-EP-5.0mm
可供量大可议
TPH4R606NH, L1Q(M
特性：小尺寸薄封装， 占用空间小。 高速开关。 小栅极电荷：QSW = 19 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.8 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。 应用：开关稳压器。 电机驱动器
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-8-EP-5.0mm
库存
70
货期
现货
TPH4R606NH, L1Q(M参数
| 封装 | SOP-8-EP-5.0mm |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
TPH4R606NH, L1Q(M概述
特性：小尺寸薄封装， 占用空间小。 高速开关。 小栅极电荷：QSW = 19 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.8 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。 应用：开关稳压器。 电机驱动器
TPH4R606NH, L1Q(M特性
暂无产品特性。
TPH4R606NH, L1Q(M应用领域
暂无应用领域。