TPH4R50ANH1, LQ(MW
IC
SOP-8-EP-5.0mm
可供量大可议
TPH4R50ANH1, LQ(MW
特性：小型薄封装。 高速开关。 小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。 应用：DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-8-EP-5.0mm
库存
3,567
货期
现货
TPH4R50ANH1, LQ(MW参数
| 封装 | SOP-8-EP-5.0mm |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3567 |
TPH4R50ANH1, LQ(MW概述
特性：小型薄封装。 高速开关。 小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。 应用：DC-DC 转换器。 开关稳压器
TPH4R50ANH1, LQ(MW特性
暂无产品特性。
TPH4R50ANH1, LQ(MW应用领域
暂无应用领域。